
Жељени материјал у хафнијуму
Циљни материјал Хафниум је посебан облик радног дела израђен од високог - чистоће металног хафнијума (хафнијум) или хафнијум једињења (као што је хафнијум оксид ХФО ₂). То је основни изворни материјал у поступку физичке таложења (ПВД), чија је функција да мучи сопствене атоме или молекуле под високим бомбардовима - енергетским честицама и на крају депонују танки филм са специфичним функцијама на површини супстрата (попут силицијума).
Opis
Најважнији и високији - крајњи примјене хафнијумских циљаних материјала концентрисане су у полуводичкој индустрији, што је неопходан кључни основни материјал.
Висок - κ Диелектриц: Ово је нај револуционарнија примена жефнских циљних материјала. Како се транзистор величине смањивају на ниво нанометре, традиционални силицијум диоксид (Сио ₂) диелектричари постају неупотребљиви због прекомерног струје цурења. Коришћењем пуцаних хафнијум-оксида (ХФО ₂) танких филма уместо сија ₂, због изузетно високе диелектричне константе (Каппа вредност), исти ефекат капацитета може се постићи дебљим физичким дебљинама, ефикасно сузбити струју цурења капије и омогућавајући да се настави са закон о Мооре-у. Скоро сви модерни напредни чипс (као што је Интел почевши од 45нм чворова) користе Хафниум са седиштем са високим каппама.
Метална капија Електрода: користи се у комбинацији са високим каппа капијом диелектрике, хафнијум метални танки филмови такође се могу користити као материјали за електроде у капији транзистора.
Отпоран на дифузијски преградни слој: У међусобном структури чипова, хафнијум или хафниум нитрида (ХФН) танки филмови могу послужити као одличне баријере, спречавајући да се атоми бакра (ЦУ) спречавају дифузно у силицијум или диелектрични слојеви и оштећења перформанси уређаја.
Отпорна на хабање и корозију - Отпоран премаз: У областима алата, калупа, медицинских уређаја итд., Хафниум нитрид (ХФН) премаз формиран шљунком (обично златно жуте) имају изузетно велику тврдоћу, отпорност на хабање и хемијску стабилност, који се користе за побољшање радника радника.
КРАТАК ОПИС ПРОЦЕСА ПРИПРЕМА
Припрема високог - квалитета хафнијум циљеве је технолошки интензивни процес




1. Топљење и пречишћавање: Добијање високог - чистоће и једнолично састављених инготи кроз топљење електронске греде (ЕБМ) или топљење вакуумског лука (ВАР).
Обрада пластике: Рафинирање величине зрна кроз ковање, котрљање и друге методе да би се формирао прелиминарни облик.
2 Прашкаст металургија (уобичајена): Више главног процеса је да се високо обликује - чистоћи хафниум прах кроз хладно изостатско прешање (ЦИП) или вруће изостатске пресовања (кука), а затим га синтерира под високим температурама и високим вакуумом и високим вакуумом да бисте добили високе - зрнате циљеве.
3. Механичка обрада: прецизно обрадите циљ празан на жељену коначну величину и облик и осигурајте да је површина везања са задњом плочицом потпуно равна.
4. Везивање: Чврсто је везано за подлогу (обично бакар или алуминијум) кроз лемљење или проводљиво лепљење да би се олакшала инсталација и хлађење.
Као основни материјал високог - крајње физичке технологије за уклањање паре, перформансе хафнијум циља директно одређује квалитет коначног филма и поузданост уређаја. Да би се постигла његова функционалност, мора да испуни следеће изузетно захтевне захтеве за основним карактеристикама.
Ултра висока чистоћа је душа циљаних материја хафнијум-а. За апликације за полуводиче, чистоћа циљног материјала обично треба да достигне 99,95% (3Н5) или чак 99.999% (5Н) или више. Било који елементи у траговима, као што су гвожђе, натријум, уранијум, торијум итд. Током процеса пушења, постајући замке или центри за расипање носача, озбиљно погоршавајући електрична својства танког филма (попут смањене мобилности и повећане струје цурења), на крају који су у току, што је у случају смањене мобилности и повећане струје цурења у на крају, што је у току, што је у случају смањене мобилности и повећане струје цурења у на крају, што је у току, што је у току и повећали струја цурења у на крају који су у току, што је у случају смањене мобилности и повећане струје цурења у на крају који су у току, што је у току, што је смањена струја цурења и повећала струја цурења. Стога је ултра - висока чистоћа примарни предуслов за обезбеђивање унутрашњих својстава танких филмова.
Висока густина и јединствена микрострукција су физичка основа за обезбеђивање стабилности процеса пушења. Циљни материјал мора бити готово потпуно густ, без недостатака као што су поре или пукотине унутра, а величина зрна мора бити мала и равномерно распоређена. Циљни материјал који није густ или нема неравномерну микроструктуру може проузроковати флуктуације у стопи филма и микро-аркантно током пушења, што је довело до увођења смртоносне честице загађивача у танки филм и проузрокује кратке склопове чипа. Јединствена и фина структура зрна осигурава доследност стопе распада и поновљивост процеса.
Прецизни хемијски састав делује циљани материјал за хафнијум са функционалном разноликошћу. Према различитим сценаријима апликације, хемијски облик циљног материјала мора бити прецизно дизајниран и контролисан. То може бити чисти метални хофнијум циљ који се користи за депоновање проводљивих слојева; То такође може бити циљ хафнијум-оксида (ХФО ₂), који се користи за припрему високог каппа танких филмова као капију диелектрике за транзисторе; То такође може бити циљ хафнијум нитрида (ХФН) који се користи за генерисање прелаза на суперХард - отпорним на превлаке или дифузијске баријере. Свака компонента одговара потпуно другачијој функцији, а њен елементарни омјер мора бити прецизно контролисан.
Различити облици и величине је неизбежан захтев за његову инжењерску примену. Циљни материјал Хафниум није узорак лабораторијске скале, већ индустријски производ који треба да се усклади са комерцијалном опремом за пуцање. Стога се мора прерадити у одређене облике (најчешће кружне и правоугаоне), а његова величина мора бити савршено усклађена са дизајном Коморе, величине супстрата и подлогом машине за пуцање како би се осигурало уједначене танке танколошке талодије у великој мјери.
Циљни материјал Хафниум је кључна покретачка снага за полуводичку индустрију да се креће ка ери наноскале. Иако је скривено унутар комора производне опреме, ситни танки филмови који се директно припрема утврђује перформансе, потрошњу енергије и поузданост процесора и других чипова. То је један од каменчаних материјалних информационих технологија и има изузетно високу техничку додатну вредност.
Popularne oznake: Жељени материјал у Хафнијуму, Кина Произвођачи циљаних материјала, добављачи, фабрика
Pošalji upit
Можда ти се такође свиђа






